Анизотропия электросопротивления монокристаллов осмия в интервале 4,2–300 К

Автор(и)

  • Н. В. Волкенштейн
  • В. П. Дякина
  • В. В. Дякин
  • В. Е. Старцев
  • В. Л. Черепанов
  • В. М. Ажажа
  • Г. П. Ковтун
  • В. А. Еленский

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1981-09-10

Як цитувати

(1)
Н. В. Волкенштейн, В. П. Дякина, В. В. Дякин, В. Е. Старцев, В. Л. Черепанов, В. М. Ажажа, Г. П. Ковтун, and В. А. Еленский, Анизотропия электросопротивления монокристаллов осмия в интервале 4,2–300 К, Low Temp. Phys. 7, (1981) [Fiz. Nizk. Temp. 7, 1156-1167, (1981)].

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>