Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления

Автор(и)

  • Н.Б. Брандт
  • Е.П. Скипетров

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1996-08-10

Як цитувати

(1)
Н.Б. Брандт and Е.П. Скипетров, Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления: , Low Temp. Phys. 22, (1996) [Fiz. Nizk. Temp. 22, 870-891, (1996)].

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають