Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов

Автор(и)

  • А. Г. Белов Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Г. М. Горбулин Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • И. Я. Фуголь Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Е. М. Юртаева Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593404

Ключові слова:

Анотація

Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультpафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения выполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затухания люминесценции на чистых кристаллах с совершенной структурой, образцах, содержащих дефекты, и в твердых растворах с электроотрицательной (кислород) и электроположительной (ксенон) примесями. Выявлен вклад рекомбинационного канала в формирование спектра автолокализованных состояний в твердом неоне. Показано, что этот канал является определяющим для заселения 3p(3) излучающих центров и дает сравнительно слабый вклад в заселение нижайших 3s(3)-возбуждений. Эффективность рекомбинационного канала существенно зависит от температуры, резко возрастая при ее повышении. Анализ экспериментальных данных позволил сделать заключение о возможности самозахвата электронов в криокристаллах неона с образованием мелких автолокализованных состояний.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1997-04-10

Як цитувати

(1)
А. Г. Белов, Г. М. Горбулин, И. Я. Фуголь, and Е. М. Юртаева, Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов, Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 439-447, (1997)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593404.

Номер

Розділ

Фізичні властивості кpіокpисталів

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 6 > >>