О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников

Автор(и)

  • А. В. Гуревич Aррlied Suрerconductivity Center, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin, 53706, U.S.A.
  • Э. А. Пашицкий Институт физики НАН Украины, Украина, 252650, г. Киев, пр. Науки, 46

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593679

Ключові слова:

Анотація

Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока в полях упругой деформации ионной кристаллической решетки и сильной немонотонной зависимости Tc от концентрации носителей, если линейные размеры дислокационных скоплений значительно превышают длину когерентности и радиус экранирования.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1998-11-10

Як цитувати

(1)
А. В. Гуревич and Э. А. Пашицкий, О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников, Low Temp. Phys. 24, (1998) [Fiz. Nizk. Temp. 24, 1058-1062, (1998)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593679.

Номер

Том 24 № 11 (1998)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 > >>