О возможной причине наблюдаемой анизотропии сверхпроводящих свойств слабо допированных купратов

Автор(и)

  • В. М. Локтев Институт теоретической физики им. Н. Н. Боголюбова НАН Украины
  • С. Г. Шарапов Институт теоретической физики им. Н. Н. Боголюбова НАН Украины
  • Р. М. Квик Department of Physics, University of Pretoria, 0002, Pretoria, South Africa

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593753

Ключові слова:

Анотація

Делается попытка интерпретации экспериментов, в которых установлено, что температура сверхпроводящего перехода в ВТСП с пониженным содержанием кислорода зависит от направления протекающего по образцу электрического тока. Высказывается предположение, что одна из температур (большая) отвечает точке TBKT2D перехода, а другая - температуре Tc установления 3D когерентности между слоями. Для условий, когда Tc³TBKT (относительно высокие концентрация носителей и величина межслоевой связи), анизотропия сверхпроводящих свойств становится несущественной и слоистая система обладает лишь одной критической температурой.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1999-05-10

Як цитувати

(1)
В. М. Локтев, С. Г. Шарапов, and Р. М. Квик, О возможной причине наблюдаемой анизотропии сверхпроводящих свойств слабо допированных купратов, Low Temp. Phys. 25, (1999) [Fiz. Nizk. Temp. 25, 515-518, (1999)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593753.

Номер

Том 25 № 5 (1999)

Розділ

Листи до редакції

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 > >>