Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-x-yCrxMnySe

Автор(и)

  • В. Д. Прозоровский Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • И. Ю. Решидова Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • А. И. Пузыня Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • Yu. S. Paranchich Yu. Phed`kovich Chernovzy State University, 2, Kozyubinskogo st., 274012 Chernovzy, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593857

Ключові слова:

Анотація

Представлены результаты исследований магнитной восприимчивости и электронного спинового резонанса (ЭСР) на ионах Cr3+, Mn2+ в ряде образцов полумагнитного полупроводника Hg1-x-yCrxMnySe с x=0,02 и 0,01£y£0,08. Экспериментальные результаты свидетельствуют, что наличие в этой системе ионов хрома и марганца, образующих две взаимодействующие подсистемы, приводит к тому, что структура спектра ЭСР и характер его смещения по магнитному полю с изменением температуры зависят от соотношения концентраций ионов хрома и марганца; наблюдаемый переход Hg1-x-yCrxMnySe в фазу спинового стекла не связан с искажением симметрии решетки кристалла. Установлены общие и отличительные свойства систем Hg1-xCrxSe и Hg1-x-yCrxMnySe.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-01-10

Як цитувати

(1)
В. Д. Прозоровский, И. Ю. Решидова, А. И. Пузыня, and Yu. S. Paranchich, Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-x-yCrxMnySe, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 34-38, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593857.

Номер

Том 26 № 1 (2000)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>