Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП

Автор(и)

  • Г. Г. Сергеева Hациональный научный центр "Харьковский физико-технический институт",Украина, 61108, г. Харьков, ул. Академическая, 1

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593903

Ключові слова:

PACS: 74.72.Hs

Анотація

Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления rc(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T* (T*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T£Tc0 , где Tc0 - температура двумерного сверхпроводящего перехода в теории среднего поля, появление в медь-кислородной плоскости областей с сильными сверхпроводящими флуктуациями приводит к существенной температурной зависимости вероятности туннелирования заряда tc(T) вдоль оси ĉ в нормальном состоянии.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-05-10

Як цитувати

(1)
Г. Г. Сергеева, Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 453-456, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593903.

Номер

Том 26 № 5 (2000)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>