Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия

Автор(и)

  • В. Б. Шикин Институт физики твердого тела РАН, Россия, 142432, п. Черноголовка, Московская обл.

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593913

Ключові слова:

PACS: 67.70. n

Анотація

Обсуждаются детали поглощения ВЧ электромагнитного поля 2D электронами на тонкой пленке гелия в зависимости от величины прижимающего электрического поля. Отмечена связь этой задачи с проблемой насыщения в 2D электронной системе. Специально изучен случай цилиндрической геометрии, качественно отвечающий условиям эксперимента в [1]. Показано, что полученные данные относительно полевой зависимости поглощения энергии ВЧ поля 2D электронами содержат информацию о пересыщенных электронных состояниях в ячейке.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-06-10

Як цитувати

(1)
В. Б. Шикин, Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 536-540, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593913.

Номер

Том 26 № 6 (2000)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>