Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1374716Ключові слова:
PACS: 74.25.Nf, 74.60.Ec, 74.60.GeАнотація
Рассмотрена задача о поверхностном СВЧ импедансе сверхпроводящей пленки в параллельном ее поверхности постоянном магнитном поле H. В пленках толщиной d < l (l - лондоновская глубина проникновения) смешанное состояние при параллельной ориентации внешнего поля представляет собой набор вихревых рядов, число которых изменяется дискретным образом при характерных значениях магнитного поля Hc1(N)(d)(Hc1(N)(d) - поле вхождения N-го ряда вихрей). Рассчитан поверхностный импеданс пленки в поле нормально падающей СВЧ волны с учетом вклада колеблющихся вихревых рядов. Пpоведено обобщение результатов, полученных в pамках известных теоретических моделей (Коффи-Клема, Бpандта), для поверхностного импеданса сверхроводников в смешанном состоянии в случае тонких пленок, когда существенными становятся размерные эффекты в структуре и динамике вихревой решетки.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2001-05-10
Як цитувати
(1)
Д. А. Лужбин, А. Л. Касаткин, and В. М. Пан, Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле, Low Temp. Phys. 27, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 27, 455-462, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1374716.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна