Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1491187Ключові слова:
PACS: 66.60. aАнотація
В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2002-05-11
Як цитувати
(1)
А. И. Иванов, А. Н. Лукьянов, Б. А. Мерисов, А. В. Сологубенко, and Г. Я. Хаджай, Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации, Low Temp. Phys. 28, (2002) [Fiz. Nizk. Temp. 28, 648-652, (2002)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1491187.
Номер
Розділ
Динаміка кристалічної гратки