Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La0,66Mn1,23V(c)0,11O2-2,84V(a)0,16
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1704617Ключові слова:
PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 76.60.–kАнотація
В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La0,7Mn1,3O3 с "избыточным" марганцем установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные, анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn и 139La керамики свидетельствуют о высокочастотном электронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности и мезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Разли- чия температур фазовых переходов металл-полупроводник и энергии активации керамики и пленок объяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно, концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффект керамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалия сопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2004-02-27
Як цитувати
(1)
В.П. Пащенко, G. Kakazei, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, Л.Т. Цымбал, В.П. Дьяконов, H. Szymczak, J.A.M. Santos, and J.B. Sousa, Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La0,66Mn1,23V(c)0,11O2-2,84V(a)0,16, Low Temp. Phys. 30, (2004) [Fiz. Nizk. Temp. 30, 403-410, (2004)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1704617.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
