Эффект Яна-Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn1-xМxSe
Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2719956Ключові слова:
полупроводники, рассеяние нейтронов, теплоемкость.Анотація
Методом дифракции тепловых нейтронов исследовано структурное состояние полупроводников Zn1-xNixSe (х = 0,0025), Zn1-xCrxSe (х = 0,0029). Обнаружены крупномасштабные сдвиговые смещения атомов решетки ZnSe, которые, как предполагается, индуцируются янтеллеровскими ионами Cr2+ и Ni2+. Представлены результаты исследования примесной теплоемкости твердых растворов Zn1-xMxSe (M = Cr2+, Ni2+) в интервале температур 1,8-20 К. Описан и применен теплоемкостный метод для определения энергии внутрицентровых переходов в этих системах. Обсуждается роль эффекта Яна-Теллера в формировании низкоэнергетических возбужденных состояний 3d-ионов в ZnSe.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
В.И. Соколов, А.Т. Лончаков, С.М. Подгорных, С.Ф. Дубинин, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, and Н.Б. Груздев, Эффект Яна-Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn1-xМxSe: Структура и свойства полупроводников с переходными элементами, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 276-281, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2719956.
Номер
Розділ
Статті