Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути

Автор(и)

  • А.В. Хоткевич Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.В. Хоткевич Department of Physics, University of Bath, BA2 7AY, UK
  • С.В. Морлок Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина
  • Б.Л. Конопацкий Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2770658

Ключові слова:

ртуть, электрон-фононное взаимодействие, микроконтактная спектроскопия.

Анотація

Предложен метод создания микроконтактов из ртути для исследований в области микроконтактной спектроскопии. В данном методе при низкой температуре микроконтакты создаются между покрытыми ртутью металлическими электродами-подложками. Покрытия созданы экспонированием электродов в ртути при комнатной температуре. Экспериментально изучена нелинейная часть сопротивления контактов в нормальном состоянии с последующим восстановлением микроконтактной функции электрон-фононного взаимодействия. Результаты эксперимента находятся в хорошем согласии с известными данными по туннельному эффекту в сверхпроводниках. В частности, хорошо совпадают положения основного пика функции электрон-фононного взаимодействия, максимальная частота фононов, а также численные значения средней и среднеквадратичной фононных частот.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-07-02

Як цитувати

(1)
А.В. Хоткевич, В.В. Хоткевич, С.В. Морлок, and Б.Л. Конопацкий, Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 935-937, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2770658.

Номер

Том 33 № 8 (2007)

Розділ

Короткі повідомлення

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають