Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов

Анотація

Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление r аморфных и кристаллических пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения r уменьшаются, для Yb - увеличиваются. Влияние покрытия на r ограничивается его толщиной d_cov⁰ = 10-60 нм, зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до d_cov > d_cov⁰ не приводит к дальнейшему изменению r. Наблюдаемые изменения r приписываются перемещению части электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb - в аморфную сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника. При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное за изменение r.