Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Автор(и)

  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • С.В. Гудина Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • С.Г. Новокшонов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • А.С. Клепикова Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • Г.И. Харус Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • Н.Г. Шелушинина Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • М.В. Якунин Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4775752

Ключові слова:

квантовый эффект Холла, гипотеза скейлинга, масштаб потенциала.

Анотація

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2012-11-15

Як цитувати

(1)
Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, and М.В. Якунин, Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла, Low Temp. Phys. 39, (2012) [Fiz. Nizk. Temp. 39, 66-75, (2012)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4775752.

Номер

Том 39 № 1 (2013)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>