Квантовая электроемкость эпитаксиального графена

Автор(и)

  • З.З. Алисултанов Институт физики им. И.М. Амирханова ДНЦ РАН ул. М. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Республика Дагестан, Россия
  • Д.М. Рустамова Дагестанский государственный университет, ул. Гаджиева, 43А, г. Махачкала, Република Дагестан, Россия
  • А.М. Хабибулаева Дагестанский государственный университет, ул. Гаджиева, 43А, г. Махачкала, Република Дагестан, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4936870%20

Ключові слова:

эпитаксиальный графен, квантовая электроемкость, плотность состояний, функции Грина.

Анотація

В рамках простой модели исследована квантовая электроемкость эпитаксиального графена. Электроемкость эпитаксиального графена скачкообразно меняется на границе между областями разрешенных и запрещенных энергий. Рассмотрен случай размерно-квантованной подложки. Получены энергетические, температурные и концентрационные зависимости. Некоторые результаты находятся в удовлетворительном согласии с имеющимися экспериментальными результатами. Обсуждается перенормировка скорости Ферми электронов графена за счет подложки.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2015-10-01

Як цитувати

(1)
З.З. Алисултанов, Д.М. Рустамова, and А.М. Хабибулаева, Квантовая электроемкость эпитаксиального графена, Low Temp. Phys. 41, (2015) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 1167-1173, (2015)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4936870 .

Номер

Том 41 № 11 (2015)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи