Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии

Автор(и)

  • Г.П. Микитик Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Ю.В. Шарлай Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4938520%20

Ключові слова:

электронный топологический переход, линии вырождения зон, магнитная восприимчи-вость, бериллий.

Анотація

Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2015-10-16

Як цитувати

(1)
Г.П. Микитик and Ю.В. Шарлай, Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии, Low Temp. Phys. 41, (2015) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 1276-1282, (2015)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4938520 .

Номер

Том 41 № 12 (2015)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають