Особенности низкотемпературного туннельного магнитосопротивления прессованных нанопорошков диоксида хрома CrO2

Автор(и)

  • Ю.А. Колесниченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Н.В. Далакова Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.Ю. Беляев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Н. Блудов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.А. Горелый Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • О.М. Осмоловская Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет Санкт-Петербург, 198504, Россия
  • М.Г. Осмоловский Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет Санкт-Петербург, 198504, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4985216

Ключові слова:

половинные металлы, диоксид хрома, гранулированные магнитные материалы, туннельное магнитосопротивление, блокированное состояние.

Анотація

Исследованы резистивные и низкотемпературные магниторезистивные свойства прессованных порошков ферромагнитного половинного металла диоксида хрома CrO2 с анизотропией формы наночастиц. Изучено влияние примеси Fe на величину туннельного сопротивления и магнитосопротивления порошков CrO2. Установлено, что примесь Fe приводит к уменьшению сопротивления и туннельного магнитосопротивления диоксида хрома. Высказано предположение, что уменьшение магнитосопротивления твердого раствора Cr1–xFexO2 связано с образованием дополнительных локализованных состояний на примесях железа в туннельном барьере. Рассмотрено влияние скорости ввода магнитного поля на вид гистерезиса низкотемпературного туннельного магнитосопротивления порошка Cr1–xFexO2. Показано, что низкотемпературные особенности гистерезиса магнитосопротивления зависят от скорости релаксации магнитных моментов наночастиц к равновесному состоянию. Обсуждаются возможные причины такой зависимости.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2017-03-20

Як цитувати

(1)
Ю.А. Колесниченко, Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, and М.Г. Осмоловский, Особенности низкотемпературного туннельного магнитосопротивления прессованных нанопорошков диоксида хрома CrO2, Low Temp. Phys. 43, (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 772-781, (2017)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4985216.

Номер

Том 43 № 5 (2017)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 > >>