Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях

Автор(и)

  • В.М. Михеев Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, г. Екатеринбург, 620219, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.5082323

Ключові слова:

дефекты, дислокации, физика прочности.

Анотація

На прикладі гетероструктури AlxGa1–xAs/GaAs теоретично вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до локальних максимумів електронної рухливості.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2018-11-16

Як цитувати

(1)
В.М. Михеев, Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях, Low Temp. Phys. 45, (2018) [Fiz. Nizk. Temp. 45, 140-145, (2018)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5082323.

Номер

Том 45 № 1 (2019)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках