Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation

Автор(и)

  • Y.V. Skrypnyk Bogolyubov Institute for Theoretical Physics National Academy of Sciences of Ukraine 14-b Metrolohichna Str., Kyiv 03143, Ukraine
  • V.M. Loktev Bogolyubov Institute for Theoretical Physics National Academy of Sciences of Ukraine 14-b Metrolohichna Str., Kyiv 03143, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0000696

Ключові слова:

графен, домішка, локальна густина станів.

Анотація

Розглядається електронний спектр графену з поодиноким точковим дефектом. Локальні густини станів на домішковому вузлі та на його найближчих сусідах обчислюються аналітично. Вивчається хід їхньої еволюції при збільшенні домішкового потенціалу. Показано, що в області добре визначеного домішкового резонансу локальна густина станів на першому найближчому сусідові домішкового вузла з достатньою точністю є збільшеною копією локальної густини станів на самому домішковому вузлі. Відповідний множник виявляється пропорційним квадрату домішкового потенціалу.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-01-22

Як цитувати

(1)
Y.V. Skrypnyk and V.M. Loktev, Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation, Low Temp. Phys. 46, (2020) [Fiz. Nizk. Temp. 46, 316-321, (2020)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0000696.

Номер

Том 46 № 3 (2020)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 > >>