Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions

Автор(и)

  • E. B. Olshanetsky Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia
  • Z. D. Kvon Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia
  • G. M. Gusev Instituto de Fsica da Universidade de São Paulo, São Paulo 135960-170, SP, Brazil
  • M. V. Entin Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia
  • L.I. Magarill Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia
  • N. N. Mikhailov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0002890

Ключові слова:

quantum well, 2D semimetal, diffusion, phonon drag.

Анотація

Експериментально досліджено термоелектрорушійну силу двовимірної електронно-діркової системи у квантовій ямі HgTe (21 нм) у присутності магнітного поля. Повідомлено про перше експериментальне спостереження ефекту Нернста–Еттінгсгаузена у двовимірному напівметалі. Порівняння теорії та експерименту показує, що термоелектрорушійна сила визначається двома внесками: дифузією та фононним захопленням, причому останній внесок у кілька разів перевищує перший. Зроблено висновок щодо важливої ролі електронно-діркового розсіяння у формуванні обох механізмів термоелектрорушійної сили.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-11-18

Як цитувати

(1)
E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, G. M. Gusev, M. V. Entin, L.I. Magarill, and N. N. Mikhailov, Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions, Low Temp. Phys. 47, (2020) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 5-10, (2020)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0002890.

Номер

Том 47 № 1 (2021)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають