Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond

Автор(и)

  • I.V. Altukhov Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • M. S. Kagan Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • S. K. Paprotskiy Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • N. A. Khvalkovskiy Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • N. B. Rodionov Institute of Innovative and Thermonuclear Research, Troitsk 108840, Moscow distr., Russia
  • A. P. Bol’shakov Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia
  • V. G. Ral’chenko Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia
  • R. A. Khmel’nitskiy Lebedev Physical Institute of RAS, Moscow 119991, Russia

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0002901

Ключові слова:

single-crystalline diamond, boron acceptors, electric field ionization.

Анотація

У сильному електричному полі (~ 5·105 В/см) досліджено провідність епітаксійних алмазних плівок, які слабколеговані бором. Ідентифіковано механізми провідності в різних полях. Визначено концентрацію вільних носіїв (дірок). Оцінено час рекомбінації дірок на акцепторах бору. Обговорюються механізми іонізації акцепторів бору сильним електричним полем.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-11-18

Як цитувати

(1)
I.V. Altukhov, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, N. B. Rodionov, A. P. Bol’shakov, V. G. Ral’chenko, and R. A. Khmel’nitskiy, Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond, Low Temp. Phys. 47, (2020) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 83-87, (2020)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0002901.

Номер

Том 47 № 1 (2021)

Розділ

Статті