Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article)

Автор(и)

  • Oleg Yu. Titov Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas 152, México 07730, CDMX, México
  • Yuri G. Gurevich Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN Av. IPN 2508, México 07360, CDMX, México

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0005182

Ключові слова:

thermal nonequilibrium, recombination, quasineutrality, transport phenomena.

Анотація

Проведено детальний аналіз впливу теплової нерівноваги на транспорт у напівпровідниках. Показано, що транспорт тепла та заряду в біполярних напівпровідниках взаємозалежні та самоузгоджені. У загальному випадку розподіл температури в однорідних напівпровідниках не може бути постійним, або лінійною функцією щодо координати навіть у лінійному наближенні. Встановлено ролі нерівноважних носіїв заряду та рекомбінації в транспорті тепла.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-05-21

Як цитувати

(1)
Oleg Yu. Titov and Yuri G. Gurevich, Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article), Low Temp. Phys. 47, (2021) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 596-602, (2021)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0005182.

Номер

Розділ

Статті