Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0007082Ключові слова:
biintercalation, layered crystal, nanoscale, nanohybrid, virtual model.Анотація
Реалізовано біінтеркаляцію шаруватого напівпровідника GaSe сегнетоелектричним та феромагнітним гостьовими компонентами. За рахунок ешелонування гостьових компонентів наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > володіє просторово-масштабною гібридністю, яка зумовлена чергуванням нанорозмірних областей однієї фази з мезо- чи мікророзмірними іншої. Результати досліджень електропровідності методом імпедансної спектроскопії свідчaть про 250-кратне її зростання після біінтеркаляції монокристалу GaSe, що зумовлено делокалізованими носіями струму. Підтвердження суттєвої зміни домішкового енергетичного спектру після біінтеркаляції отримано методом термостимульованого розряду — наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується квазінеперер- вним спектром у всій температурній області вимірювань та релаксацією гетерозаряду. Наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується високим значенням діелектричної проникності при тангенсі кута діелектричних втрат меншому за 1 у високочастотній області спектру, що відкриває перспективу його використання для виготовлення високодобротних радіочастотних конденсаторів. Зміни домішкового енергетичного спектру досліджуються у випадку низьких температур в моделі віртуального кристалу з врахуванням фівазівського закону дисперсії як для зони провідності, так і для двох домішкових зон. Встановлена поява додаткової щілини в спектрі домішкових станів та досліджується її зміна залежно від концентрації різних за природою інтеркалянтів — акцепторного типу та донорного.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2021-10-25
Як цитувати
(1)
F. O. Ivashchyshyn, V. M. Maksymych, T. D. Krushelnytska, O. V. Rybak, B. O. Seredyuk, and N. K. Tovstyuk, Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties , Low Temp. Phys. 47, (2021) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 1165-1172, (2021)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0007082.
Номер
Розділ
Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках