Photoluminescence of Ag8SnSe6 argyrodite

Автор(и)

  • I. Semkiv Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • H. Ilchuk Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • N. Kashuba Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0008957

Ключові слова:

argyrodite, semiconductors, photoluminescence, absorption edge, band gap.

Анотація

Представлено базові дослідження низькотемпературної фотолюмінесценції сполуки аргіродиту Ag8SnSe6. Вимірювання проводили на пластинах, вирощених шляхом прямого плавлення високочистої стехіометричної суміші елементарних Ag, Sn та Se у герметичній кварцовій ампулі. У спектрах фотолюмінесценції спостерігаються два піки з максимумами, розташованими за 0,85 та 0,95 еВ. Залежність домінантного піку від температури та збудження за 0,85 еВ свідчить про те, що такий перехід може бути пов’язаний з донорно-акцепторною рекомбінацією. Енергії активації дефектів, що беруть участь у цьому переході, розраховувалися на основі температурних залежностей фотолюмінесценції та вимірювань пропускання. Виявлено, що енергія іонізації знаходиться у вузьких енергетичних межах 44 та 72 меВ для більш дрібних і глибоких дефектів відповідно. Другий пік у спектрах при 0,95 еВ був віднесений до міжзонного переходу між вершинами зон.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-11-18

Як цитувати

(1)
I. Semkiv, H. Ilchuk, and N. Kashuba, Photoluminescence of Ag8SnSe6 argyrodite, Low Temp. Phys. 48, (2021) [Fiz. Nyzk. Temp. 48, 15-18, (2021)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0008957.

Номер

Розділ

Статті