Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He - Цымбаленко, В. Л. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1997)
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью 3He (x=8*10 -5, 2*10 -4). В интервале температур 1,2-1,4K примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.