Молекуляpное состояние адсоpбции и веpоятность пpилипания молекул D2 на повеpхности W(110) пpи темпеpатуpе жидкого гелия - Осовский, В. Д.; Птушинский, Ю. Г.; Сукретный, В. Г.; Чуйков, Б. А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1997)
Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D2 на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(theta) при температуре подложки Ts 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовский и др. ,Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного повышения вероятности прилипания D2 при заселении слабосвязанных состояний физической адсорбции существенно усиливается на поверхности, покрытой упорядоченным монослоем атомов дейтерия, и в еще большей степени - при адсорбции на поверхности, покрытой атомарным и физически адсорбированным молекулярным монослоями. Наблюдаемые особенности зависимости S(theta) при Ts 5 К объясняются с учетом островкового характера роста адсорбированного слоя и участия предсостояния в процессе его формирования. Получены также зависимости S(theta) для Ts = 78 и 300 К, свидетельствующие о ленгмюровском механизме адсорбции при заселении атомарного состояния 550 К и об адсорбции через предсостояние при формировании состояния 410 К.