Кинетика роста и растворения включений 3He в расслоившихся твердых растворах 3He в 4He - Ганьшин, А. Н.; Григорьев, В. Н.; Майданов, В. А.; Омелаенко, Н. Ф.; Пензев, А. А.; Рудавский, Э. Я.; Рыбалко, А. С.; Токарь, Ю. А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1999)
Приведены подробные результаты экспериментального исследования кинетики роста, растворения и плавления твердых включений 3He, образующихся в результате фазового расслоения твердых растворов 3He в 4He. Пpедложена новая методика получения высококачественных кристаллов с использованием термоциклирования твердого раствора в области расслоения, что позволило получить воспроизводимые значения постоянных времени роста и растворения включений. С помощью прецизионных измерений давления кристалла при постоянном объеме получены данные об эффективной массовой диффузии атомов 3He в кристалле. Показано, что при низких температурах квантовая диффузия сильно подавляется за счет полей напряжений, возникающих вблизи границы включений. В процессе растворения включений обнаружен аномально быстрый перенос вещества и установлен его пороговый характер. Обнаруженные эффекты могут быть качественно объяснены в рамках предложенной модели многоступенчатого растворения включений 3He. Получены также данные об изменении давления в результате плавления и кристаллизации включений 3He. Высказано предположение, что при кристаллизации часть 3He остается в жидкой фазe.