Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-x-yCrxMnySe - Прозоровский, В. Д.; Решидова, И. Ю.; Пузыня, А. И.; Paranchich, Yu. S. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Представлены результаты исследований магнитной восприимчивости и электронного спинового резонанса (ЭСР) на ионах Cr3+, Mn2+ в ряде образцов полумагнитного полупроводника Hg1-x-yCrxMnySe с x=0,02 и 0,01&#163y&#1630,08. Экспериментальные результаты свидетельствуют, что наличие в этой системе ионов хрома и марганца, образующих две взаимодействующие подсистемы, приводит к тому, что структура спектра ЭСР и характер его смещения по магнитному полю с изменением температуры зависят от соотношения концентраций ионов хрома и марганца; наблюдаемый переход Hg1-x-yCrxMnySe в фазу спинового стекла не связан с искажением симметрии решетки кристалла. Установлены общие и отличительные свойства систем Hg1-xCrxSe и Hg1-x-yCrxMnySe.