Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле - Аллахвердиев, К. Р.; Ахмед-заде, Н. Д.; Мамедов, Т. Г.; Мамедов, Т. С.; Сеидов, Мир-Гасан Ю. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Исследовано влияние ориентирующего электрического поля на аномалии температурной зависимости диэлектрической проницаемости e кристаллов TlInS2 и TlGaSe2, а также пироэлектрического тока i в TlInS2 вблизи фазовых переходов (ФП). В обоих кристаллах установлена идентичность трансформации профиля e(T) в точке ФП в несоизмеримую фазу под действием постоянного электрического поля, приложенного в направлении плоскости слоя. Обнаружено, что максимум e(T) в TlGaSe2 и i(T) в TlInS2 в точке ФП в соизмеримую полярную фазу смещается в определенном диапазоне ориентирующих электрических полей и знак температурных смещений зависит от величины внешнего электрического поля. Предложена интерпретация экспериментальных результатов.