Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии: Электpонные свойства металлов и сплавов - Krasovitsky, Vit. B.; Komnik, Yu. F.; Myronov, M.; Whall, T. E. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с dбBс-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5╥1013-2,2╥1014 см-2 . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффектов слабой локализации и взаимодействия подвижных носителей заряда (дырок) в двумерной электронной системе в условиях сильного спин-орбитального взаимодействия. Из анализа поведения квантовых поправок определена температурная зависимость времени фазовой релаксации носителей tj=AT-1 , где A»(1,4╠0,3)╥10-12K╥c, рассматриваемая как проявление процессов междырочного рассеяния, а также получены значения константы взаимодействия (lT» 0,64- 0,73).