Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах - Андриевский, ВВ. В.; Беркутов, И. Б.; Комник, Ю. Ф.; Миронов, О. А.; Волл, Т. Е. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
В гетеропереходе Si/Si0,64 Ge0,36 с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: teph=10-8T-2 c.