Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков - Пашицкий, Э. А.; Вакарюк, В. И.; Рябченко, С. М.; Федотов, Ю. В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2001)
Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков q, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности x(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры Tc практически не зависит от q и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока jc(T), остается ток распаривания j0 (T) µ (1 - T/Tc)3/2. Вблизи Tc, когда x(T) > d, происходит переход от зависимости jcT) (1 - T/Tc)3/2 к jc(T) (1-T/Tc)2. Такое поведение jc(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa2Cu3O7-d .