Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La0,7Mn1,3O3±d - Кучеренко, С. С.; Пащенко, В. П.; Поляков, П. И.; Штаба, В. А.; Шемяков, А. А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2001)
В широком температурном интервале T=77-350 К исследовали влияние напряженности магнитного поля H=0-8 кЭ и высоких гидростатических давлений P=0-2,2 ГПа на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (МРЭ) DR/R0, температуру фазового перехода металл-полупроводник Tms и пика МРЭ Tp керамической мишени и лазерной пленки одинакового катионного состава La0,7Mn1,3O3±d. Рост Н и Р приводит к уменьшению сопротивления. Обнаруженное различие r, Tms и Tp керамики и пленки объяснено различной их кислородной нестехиометрией. Увеличение Н приводит к увеличению, а Р - к уменьшению МРЭ. С увеличением Р увеличиваются Tms и Tp керамики и пленки, причем более существенно пленки. Два фазовых перехода (основной с Tms = 250 К и дополнительный с T ¢ms=210 K), наблюдаемые в керамике, объяснены ее мезоскопической неоднородностью кластерного типа.