Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg1-xCrxSe - Прозоровский, В. Д.; Решидова, И. Ю.; Пузыня, А. И.; Паранчич, С. Ю.; Романюк, В. Р. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Представлены результаты исследований структурных и магнитных свойств монокристалли ческих образцов разбавленного магнитного полупроводника Hg1-xCrxSe с разной концентрацией ионов хрома (0< x ≤ 0,007 ) в температурном интервале 50-300 К. Установлено, что граница существования гомогенного твердого раствора находится в пределах содержания хрома x < 0,05. В образцах с x ≥ 0,05 резкий рост магнитной восприимчивости в области температуры фазового перехода обусловлен не только переходом в фазу, подобную фазе спинового стекла, который наблюдался для всех исследованных образцов, но и ферромагнитным вкладом, связанным с ферромагнитными включениями HgCr2Se4 и CrSe в этих образцах.