Взаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводников - Зорченко, В.В.; Сипатов, А.Ю.; Волобуев, В.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2003)
Для полупроводниковых структур с двумя ферромагнитными барьерами и немагнитными слоями, являющимися потенциальными ямами для электронов, рассмотрены электронный энергетический спектр, энергия обменного взаимодействия магнитных слоев Еm и относительная поляризация спинов электронов b. На примере структур EuS/PbS (001) показано, что в случае статистики Ферми Еm является знакопеременной осциллирующей функцией ширины потенциальной ямы а между барьерами, причем при увеличении концентрации электронов в ямах n0 и толщины немагнитного подслоя d между барьером и подложкой экстремумы Еm смещаются в сторону меньших а и их амплитуды быстро возрастают. При понижении температуры от точки Кюри в зависимости от а, n0 и d энергия Еm может монотонно (или немонотонно) возрастать (по модулю) либо изменять знак с положительного на отрицательный, либо дважды менять знак. Поляризация b уменьшается при увеличении а, n0 и d, совершая резкие скачки при изменении знака Еm. Для статистики Больцмана возможна только ферромагнитная ориентация намагниченностей барьеров (Еm< 0).