Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB2 в диапазоне частот 0-110 МГц и интервале температур 5-300 К
В интервале температур 5-300 К определены структура и удельное электросопротивление поликристаллического MgB2. В этом же интервале температур исследован его импеданс для частот 9-110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия сверхпроводящей фазы MgB2 остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего перехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и частотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянии обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т