Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg1-xMnxTe: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами - Несмелова, И.М.; Рыжков, В.Н.; Ибрагимова, М.И.; Петухов, В.Ю. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg1-xMnxTe, альтернативного материалу Hg1-xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В+ в образцы р-Hg1-xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения.