Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga): Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений - Акимов, Б.А.; Прядун, В.В.; Рябова, Л.И.; Слынько, Е.И.; Хохлов, Д.Р.; Штанов, В.И. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb1-xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) исследован в диапазоне частот от 102 до 106 Гц в интервале температур 4,2-300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb1-xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К. Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при f > 105 Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости. Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка решетки имеет локальный характер.