Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs: Электронные свойства низкоразмерных систем - Березовец, В.А.; Моисеев, К.Д.; Нижанковский, В.И.; Михайлова, М.П.; Парфеньев, Р.В.; Яковлев, Ю.П. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования контактирующих полупроводников. При исследовании вертикального магнитотранспорта через разъединенную гетерограницу II типа GaInAsSb/p-InAs показано, что увеличение локализации двумерных электронов в электронном канале на границе раздела приводит к образованию "мягкой" кулоновской щели в туннельной плотности состояний. В магнитных полях до 15 Тл при гелиевых температурах обнаружен переход от состояния с "мягкой" кулоновской щелью в диэлектрическое состояние (жесткая энергетическая щель при величине проводимости stun 10-8 Ом-1) при условии расположения уровня Ферми для двумерных электронов в интервале между наинизшими уровнями Ландау для плато n = 2 на зависимости rxy. При увеличении внешнего смещения на гетеропереходе пороговый выход из диэлектрического состояния связан с одноэлектронным туннелированием между отдельными замкнутыми областями из делокализованных электронных состояний уровня Ландау, ближайшего к уровню Ферми.