Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix: Электронные свойства низкоразмерных систем - Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Карсканов, И.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤ 2 Тл при фиксированных температурах 0,2K ≤ T ≤ 4,2 K. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы tj ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри F0s=-0,51, амплитуда фермижидкостного взаимодействия l= 0,40, фактор Ланде g = 12,0.