Эффект де Гааза-ван Альфена в диборидах ScB2, ZrB2 и HfB2: Электpонные свойства металлов и сплавов - Плужников, В.Б.; Свечкарев, И.В.; Духненко, А.В.; Левченко, А.В.; Филиппов, В.Б.; Чопник, А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Выращены монокристаллы гексагональной структуры ScB2, ZrB2 и HfB2 и исследованы свойства поверхностей Ферми этих соединений с помощью эффекта де Гааза-ван Альфена (дГвА). Измерены угловые зависимости частот дГвА осцилляций в плоскостях(101̅0),(112̅0),(0001)и значения их эффективных циклотронных масс. Частоты обнаруженных осцилляций находятся в интервале (0,96-28,8)·102 Тл, а измеренные циклотронные массы - в диапазоне (0,09-0,87) m0. Для соединения ZrB2 экспериментально получены значения константы электрон-фононного взаимодействия l на различных сечениях его поверхности Ферми. Величина константы l меняется от 0,05 до 0,16.