Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe - Мустафаева, С.Н.; Асадов, М.М.; Исмайлов, А.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2010)
Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·1017 см–3) и n-InSe (2,48·1017– 2,71·1018 cм–3).