Электросопротивление интерфейса ВТСП-нормальный металл - Соколенко, В.И.; Фролов, В.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2012)
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nfе(x) – nfh = 0. При условии nfе = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nfh, в частности, температурных. Для оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены темпера- турные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние.