Высокочастотные спектры ЭПР синтетического алмаза и наноалмаза типа Ib при низких температурах - Хацько, Е.; Кобец, М.; Дергачев, К.; Кулбицкас, А.; Растениене, Л.; Вайшнорас, Р. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2013)
Методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены и изучены спектры поглощения алмаза и наноалмаза типа Ib на парамагнитных центрах до и после облучения высокоэнергетическими электронами с энергией 2 МэВ в широком диапазоне частот (70–120 ГГц) и температур (4,2–90 К). Показано, что в алмазе наблюдаются линии поглощения спектра ЭПР, обусловленные наличием ростового иона-катализатора Ni1+ и парамагнитным одиночным центром азота N0. В наноалмазе наблюдаются линии поглощения спектра ЭПР центров с оборванными связями на поверхности монокристаллитов (поверхностные дефекты) и боковые линии, которые связаны с проявлением сверхтонкого взаимодействия в спектре.