Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
Представлены результаты исследования эффекта Шубникова–де Гааза и термоэлектрических свойств монокристаллов р-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, легированных Ga, n-Bi2–xTlxSe3 и p-Sb2–xTlxTe3. По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании. Установлено, что Ga действует, как донор в р-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, Tl оказывает акцепторное действие в n-Bi2–xTlxSe3 и увеличивает подвижность электронов, в то время как в p-Sb2–xTlxTe3 и концентрация дырок и их подвижность уменьшается при легировании Tl. Обсуждается изменение дефектности кристаллов, которое и приводит к этим эффектам. Кроме этого, синтезированы и исследованы наноструктурированные твердые растворы Sb2Te3–xSex (0 < x