Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций - Богословский, Н.А.; Петров, П.В.; Аверкиев, Н.С. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2018)
Представлено результати чисельного моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов’язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій в системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей в спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів та дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом чисельного моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних та фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що при певних експериментальних умовах лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися.