Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ - Хаджай, Г.Я.; Самойлов, А.В.; Вовк, Р.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2020)
Виміряно температурні залежності поздовжньої та поперечної провідності монокристалів YВа2Сu3О7–δ, які опромінено високоенергетичними електронами. Виявлено, що, на відміну від неопромінених монокристалів YВа2Сu3О7–δ, абсолютна величина анізотропії нормального електроопору ρс/ρab значно зменшується при збільшенні кількості структур-них дефектів в об’ємі експериментального зразка. При цьому залежність ρс/ρab(Т) добре описується як за допомогою універсального «закону 1/2», так і звичайним експоненційним виразом для термоактивованої провідності.