Умови резонансного тунелювання крізь двобар’єрні структури в графені - Cахнюк В. Є.; Шутовський, А. М.; Федосов, С. А.; Замуруєва, О. В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2022)
Досліджено кляйнівське тунелювання діраківських ферміонів крізь симетричний подвійний потенціальний бар’єр прямокутної форми в графені. Для залежності коефіцієнта проходження електронів від кута падіння на межу бар’єра отримано нову аналітичну формулу, на основі якої знайдено умови для кутів падіння зі 100% ймовірністю тунелювання електронів. Показано, що у випадку подвійного потенціального бар’єра маємо три умови резонансного тунелювання, дві з яких аналогічні цим умовам для одного бар’єра, а третя відображає наявність другого бар’єра.