Особенности электронных свойств delta<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. III. Электрон-фононная релаксация: Электpонные свойства металлов и сплавов - Каширин, В. Ю.; Комник, Ю. Ф.; Анопченко, А. С.; Миронов, О. А.; Эмелеус, Ч. Дж.; Волл, Т. Э. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1997)
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих delta <Sb>- слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации tauep, полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью tauep ~ Tp, где p = 3,7+/-0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT - волновой вектор вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона).